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    “南工，我说过，钱是我考虑的问题，你只需要考虑科研上的事情，南工，你就说依靠我们自己的力量能不能做成这件事，如果可行，花多少钱我都愿意。”

    南广林并没有马上回答韩小东这个问题，他有着科技工作者独有的严谨，他足足思考了三分钟，这才缓缓开口。

    “小东，其实咱们国家的光刻机制造，很早以前就开始了。”

    1965年华夏科学院研制出65型接触式光刻机。

    1970年，华夏科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

    1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

    1977年，我国最早的光刻机-gk-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

    1978年，1445所在gk-3的基础上开发了gk-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

    1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

    1981年，华夏科学院半导体所研制成功jk-1型半自动接近式光刻机。

    1982年，科学院109厂研制出了kha-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

    1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到米国4800dsw的水平。

    这应当是华夏第一台分步投影式光刻机，华夏在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

    南广林的脑子就像一部计算机，上面这些数据被他如数家珍的一一道出。

    他的声音变得越来越低沉，“只可惜进入九十年代后，我国光刻机光源长时间被卡在193纳米无法进步，这个技术非常关键……而且在八十年代，我国和米国的关系得到改善，很多过去对我们限制的高科技产品，现在都可以卖给我们了，国外的光刻机产品，性价比远高于自我研发，我国光刻技术的研发和产业化实质上放弃了自主攻关。”

    “小东，你的心情我能理解，之前我说过，如果我们搞芯片研发，资金要以千万为单位计算，但是如果搞光刻机的话，直接就要以亿为单位了。”

    “现在国际上生产光刻机最强的国家是霓虹国，尼康听说过吗？

    我们国家在193纳米这个指标上被卡住多年了，而尼康现在已经采用157nm的    f2激光，至少领先我们二十年。
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